DRAM, ROM, SRAM, フラッシュメモリのうち, 電力供給が途絶えても内容が消えない不揮発性メモリはどれか。
平成25年度 春期 ITパスポート試験 問63
这道题的解析和你的作答记录。
問 63考点是易失性存储器与非易失性存储器的区分
错误ア
「DRAM 和 SRAM」中两者都是易失性存储器,所以错误。这个组合一个非易失性存储器都不包含,是四个选项中离正确答案最远的组合。DRAM(Dynamic RAM,动态随机存取存储器)用电容器蓄积电荷来表示 1 个比特,蓄积的电荷会随时间自然流失,因此即使在通电期间也需要每隔一定时间把内容重新读出再写回,这个动作称为刷新。当然,供电一旦中断,内容就会丢失。SRAM(Static RAM,静态随机存取存储器)用称为触发器的电路保持 1 个比特,虽然不需要刷新,但保持的前提是电路中持续有电流流过,断电后内容同样会消失。一般是 DRAM 用作主存储器(内存)、SRAM 用作高速缓存存储器这样区分使用,但两者断电后都无法保留内容这一点是共通的。
错误イ
「DRAM 和闪存」中,闪存是非易失性存储器这一点没错,但把 DRAM 包含进来就错了。DRAM 是被广泛用作主存储器的典型易失性存储器,它靠电容器中的电荷来记忆,因此刷新必不可少,供电一旦停止内容就会消失。关掉个人计算机的电源后,正在处理却尚未保存的内容会丢失,就是因为作为工作区域的主存储器是 DRAM。反过来,已经保存的内容在下次开机时依然存在,是因为它被写入了 SSD 等非易失性的设备。这个组合中非易失性存储器和易失性存储器各混入了一个,所以算不上只列出非易失性存储器的组合。
错误ウ
「ROM 和 SRAM」中,ROM 是非易失性存储器这一点没错,但把 SRAM 包含进来就错了。SRAM 名称中的 Static(静态)是指与 DRAM 不同、不做刷新也能保持内容,并不是指断电后内容仍会留下。在这里弄错的话,就会把 SRAM 误认为非易失性存储器,需要注意。SRAM 采用触发器电路保持内容,是以电流持续流过为前提的易失性存储器。它速度快,但每 1 个比特所占的电路较大,单位容量的价格也高,因此被用在像高速缓存存储器那样容量小却要求高速的用途上,用来弥补 CPU 与主存储器之间的速度差。
- エ
正解 正确答案是 エ「ROM 和闪存」。存储器可以按照供电停止后能否保持存储内容分成两类。断电后内容就会消失的称为易失性存储器,没有电源也能持续保持内容的称为非易失性存储器。把题目中的四种加以归类,ROM 和闪存属于非易失性存储器。ROM(Read Only Memory,只读存储器)是只读专用的存储器,内容在制造时或写入时就已固定,即使没有电力也能保持。因此它被用来存放开机瞬间必定需要的启动程序(如 BIOS),以及嵌入设备中的固定数据。闪存是可以用电的方式改写内容的 EEPROM 的一种,由于其存储元件浮栅能把电荷封闭在内部,所以断电后电荷仍被保住,内容也就留了下来。U 盘、SD 卡等存储卡、SSD 这些随身携带时内容绝不能丢失的设备,其内部使用的正是闪存。另一方面,DRAM 和 SRAM 都属于 RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)一类,两者保持内容都以持续供电为前提,都是易失性存储器。因此,只由非易失性存储器构成的组合是 ROM 和闪存,エ 正确。
- 考点是易失性存储器与非易失性存储器的区分。供电一旦中断内容就会消失的是易失性存储器,DRAM 和 SRAM 属于这一类。没有电力也能保持内容的是非易失性存储器,ROM 和闪存属于这一类。大致记住 RAM 一类是易失性、ROM 一类(闪存是可以用电的方式改写的 EEPROM 的一种)是非易失性,判断起来就容易了。
- DRAM 与 SRAM 的区别也应一并记住。DRAM 靠电容器蓄积电荷来记忆,所以需要刷新;因为结构简单,容易做成大容量而且便宜,被用作主存储器。SRAM 靠触发器记忆,所以不需要刷新且速度快,但价格高、不易做成大容量,被用作高速缓存存储器。SRAM 中的 Static 是指不需要刷新,而不是指断电后仍能保持,这一点很容易成为陷阱。