問76
頻出度★★☆
メモリに関する説明のうち, 適切なものはどれか。
平成30年度 春期 ITパスポート試験 問76
テクノロジ系コンピュータ構成要素 › メモリ
这道题的解析和你的作答记录。
解説
問 76
- ア
正解 「ア」正确。DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）通过在电容中蓄积电荷来存储信息，随着时间推移电荷会放电、内容会丢失，因此需要按固定周期读出再写回，也就是「刷新（重新写入）」。它结构简单，每一位所需的电路很小，容易做到低成本、大容量，所以被广泛用作个人电脑等设备的主存储器（内存）。「需要定期重新写入，主要用作主存储器」这一描述正确说明了 DRAM 的特征。
错误イ
ROM（只读存储器）是非易失性存储器，主要用于读出程序或固定数据，不会用作高速缓存。用作高速缓存的是访问速度极快的 SRAM。「ROM 访问速度快、用于高速缓存」的说法是错误的。
错误ウ
SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）是用触发器电路来存储的高速存储器，但它是断电后内容即消失的「易失性」存储器，主要用作高速缓存。用作 USB 存储器的是断电后内容仍会保留的「非易失性」闪存。「SRAM 是非易失性、用作 USB 存储器」的说法是错误的。
错误エ
「制造时就写入了程序和数据、用户无法更改其内容」描述的是掩膜 ROM（Mask ROM）。闪存是可以通过电气方式写入和擦除（重写）数据的非易失性存储器，用于 USB 存储器、SSD、SD 卡等。作为闪存的说明是错误的。
ここがポイント
- 半导体存储器的分类：RAM 是易失性的（断电后即丢失），ROM 和闪存是非易失性的。RAM 中，DRAM 需要刷新，因价格低、容量大而用作主存储器；SRAM 速度快而用作高速缓存。
- 闪存是可以通过电气方式重写的非易失性存储器，用于 USB 存储器、SSD 等。要注意区分：制造时就固定、无法更改的是掩膜 ROM。
用語