存储器层次结构与 DRAM 规格、内存模块
標準约 37 分钟8 个术语过去问 15 题
本单元目标
- 能沿着从靠近 CPU 的一侧起 高速缓存→主存储器→辅助存储器 的顺序梳理 存储层次,并说明各层的作用以及速度、容量上的差别。
- 能把主存储器所用 DRAM 的规格名称按 DDR3→DDR4→DDR5 的代际顺序排列。
- 能从尺寸和使用设备两方面区分内存模块 DIMM 与 SO-DIMM。
术语总表(8 个)
术语
高速缓存(キャッシュメモリ)位于 CPU 与主存储器之间,是保存常用数据和指令副本的 高速、小容量 存储器。
CPU 的运行速度远高于主存储器,如果每次都去读主存储器,CPU 就不得不等待。因此要把很可能用到的数据放进高速缓存,提高在其中找到目标数据(命中)的比例,从而减少等待。由于容量小,缓存装满后就要替换数据,例如赶出最久未被使用的数据(LRU 方式)。
类比就像在厨房里,用过的调料就留在灶台旁;灶台旁放满时,就把最久没用的调料先放回里面的柜子。
记法英语 cache 意为“隐藏处、储藏”。可以记成在手边悄悄囤东西的地方。
考点
- 常考设置高速缓存的目的,是在平均意义上缩短 CPU 等待主存储器(主記憶)的时间,从而提高处理效率。它的容量比主存储器小。
- 常考缓存按离 CPU 由近到远分为一级缓存(1 次キャッシュ)、二级缓存等多级。读取时先查一级,没有再查二级,仍没有才去主存储器。
- 常考高速缓存的元件使用比主存储器所用 DRAM 更快的 SRAM。它的访问时间(アクセス時間)比主存储器及其下各层都短。
该术语的过去问 3 题 キャッシュメモリ →
主存储器(主記憶,又称内存)存放正在运行的程序和数据,是 CPU 直接读写 的核心存储器。
主存储器的存储位置都编有号码,即 地址,CPU 通过指定地址来读写指令和数据。其元件主要使用 DRAM,而 DRAM 需要定期重写(刷新)才能保住所存内容。主存储器是断电后内容就会消失的 易失性 存储器,需要保留的数据要存到辅助存储器中。
类比就像摊开工作文件的工作台。台面越大,越能同时摊开更多文件来处理。
考点
- 常考主存储器主要使用 DRAM。DRAM 靠刷新(リフレッシュ)保持内容,是断电即丢失内容的易失性(揮発性)存储器。
- 常考CPU 通过指定地址(アドレス),也就是为主存储器中每个位置编的号码,取出所需的指令和数据。
该术语的过去问 3 题 主記憶 →
辅助存储器(補助記憶,又称外存)是断电后内容仍保留的 非易失性 大容量存储,用于长期保存程序和数据。
HDD、SSD、光盘等设备都属于辅助存储器,执行程序时要先把内容读入主存储器再使用。存储层次以 CPU 内部存放运算中数值的 寄存器 为最上层,按寄存器→高速缓存→主存储器→辅助存储器的顺序排列,越往下越慢,但单位容量的价格越便宜。辅助存储器是其中最慢的一层,容量却最大。
类比就像文件柜:取放要花时间,但能放很多文件,即使关掉房间的灯,里面的东西也原样保留。
记法在 PC 的规格表上,“内存 16GB”通常指主存储器,“存储 512GB”通常指辅助存储器的容量。
考点
- 常考在存储层次(記憶階層)中,越靠近 CPU 的层读写越快,最底层的辅助存储器最慢。CPU 内部的寄存器(レジスタ)位于层次的最上层。
- 常考SSD 是把数据记录在闪存(フラッシュメモリ)中的辅助存储器,以电的方式进行读写,没有让记录介质旋转的机构。
- 常考HDD 是通过旋转磁盘(磁気ディスク)来读写的辅助存储器,能把磁头直接移到要读的位置,进行随机访问(ランダムアクセス)。
该术语的过去问 3 题 補助記憶 →
「主存储器(内存)」与「辅助存储器(外存)」的区别
DDR3 SDRAM 是用于主存储器的 DRAM 规格,属于 DDR 方式 SDRAM 系列的 第 3 代。
SDRAM 是与决定动作节拍的 时钟 信号同步工作的 DRAM。DDR(Double Data Rate)在时钟的上升沿和下降沿都传送数据,每个周期传送 2 次,DDR3 是它的第 3 代。
类比如果在节拍器的“嘀”和“嗒”上各走一步,同样的节奏下步数就变成 2 倍。
记法DDR 的 Double 是“一拍两次”的意思。后面的数字是代数,不是容量或条数。
DDR4 SDRAM 是 DDR3 SDRAM 的后继,属于 DDR 方式 SDRAM 系列 第 4 代 的 DRAM 规格。
它的传输速度比 DDR3 更快,并通过降低电源电压来减少功耗。模块的引脚数和 缺口 位置都与 DDR3 不同,因此插不进 DDR3 用的插槽。
DDR5 SDRAM 是 DDR4 SDRAM 的后继,属于 DDR 方式 SDRAM 系列 第 5 代 的 DRAM 规格。
它比 DDR4 进一步提高了传输速度,也再次降低了电源电压。内部结构也做了调整,例如把管理电源的电路搭载在模块上。
DIMM(双列直插内存模块)是把多颗 DRAM 芯片装在小电路板上、插入 PC 的 内存插槽 作为主存储器使用的 内存模块 规格。
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名称是 Dual Inline Memory Module 的缩写,来源于电路板正反两面的引脚各自承担不同的信号。主要用于台式 PC 和服务器,所搭载 DRAM 的每一代都有专用的外形。
类比如果说 DRAM 芯片是零件,DIMM 就是把零件排好、便于插拔的卡匣。
记法Dual 意为“两面”。前身 SIMM(Single)的正反两面引脚连接的是同一信号。
考点
- 常考DIMM 等内存模块(メモリモジュール)要插入主板(マザーボード)上的内存插槽(メモリスロット)来安装。
- 易混DDR3、DDR4 这类名称表示所搭载 DRAM 的代,DIMM、SO-DIMM 这类名称表示模块外形的规格,两者是不同的维度。
该术语的过去问 1 题 DIMM →
SO-DIMM(小型双列直插内存模块)是 DIMM 小型化后的 内存模块 规格,主要用作笔记本 PC 和小型设备的主存储器。
它的电路板较短,引脚数也与 DIMM 不同,所以即使搭载同一代 DRAM,也插不进台式机用的 DIMM 插槽。在安装空间有限的小型台式 PC 等设备中也会使用。
记法SO 是 Small Outline 的缩写,意为“外形小”的 DIMM。
「DIMM(双列直插内存模块)」与「SO-DIMM(小型双列直插内存模块)」的区别
要点
- 高速缓存用来弥补 CPU 与主存储器之间的速度差,减少 CPU 等待主存储器的时间。
- 辅助存储器断电后内容仍保留,是存储层次中最慢但容量最大的一层。
- 主存储器是 CPU 指定地址直接读写的地方,主要由 DRAM 构成。
- DDR 后面的数字是代数,按 DDR3→DDR4→DDR5 的顺序越新,传输速度越高,电源电压越低。
- 内存模块是把多颗 DRAM 芯片装在电路板上的部件,插入主板的内存插槽就能扩充主存储器。
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