平成29年度秋期 ITパスポート試験問67

この問題の解説と、これまでの解答の記録です。

問67

頻出度★★☆

フラッシュメモリの説明として, 適切なものはどれか。

出典　平成29年度秋期 ITパスポート試験問67

解説

問 67

不正解ア
「紫外線を利用してデータを消去」するのは紫外線消去型EPROM（UV-EPROM）の説明。パッケージ上部の窓から紫外線を当ててチップ全体を消去する方式で、電気的に書換えるフラッシュメモリとは消去の仕組みが異なる。
不正解イ
「読出し速度が速く、CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリに使われる」のはSRAM（高速な揮発性メモリ）の説明。フラッシュメモリはSRAMより低速で、キャッシュ用途には使われない。
ウ
正解「ウ」が正しい。フラッシュメモリはEEPROMを発展させた半導体メモリで、電気信号によってブロック単位で一括消去・書換えができる。さらに電源を切ってもデータが消えない不揮発性を持つため、USBメモリ・SDカード・SSD・スマートフォンの内蔵ストレージなど、電源オフ後もデータを保存したい用途に広く使われる。「電気的に書換え可能な、不揮発性のメモリである」という記述はこの特徴をそのまま表している。
不正解エ
「リフレッシュ動作が必要で、主記憶によく使われる」のはDRAMの説明。DRAMはコンデンサの電荷でデータを保持するため周期的なリフレッシュが要る揮発性メモリで、リフレッシュ不要かつ不揮発なフラッシュメモリとは別物。

ここがポイント

フラッシュメモリ＝電気的に一括消去・書換え可能な不揮発性メモリ（EEPROMの一種）で、USBメモリ・SDカード・SSD等に利用される。
半導体メモリの区別：SRAM（高速・キャッシュ）／DRAM（要リフレッシュ・主記憶）は揮発性、UV-EPROMは紫外線消去。揮発性か不揮発性か、消去方式で識別する。

用語

解答問67ウ