問67
頻出度★★☆
フラッシュメモリの説明として, 適切なものはどれか。
平成29年度 秋期 ITパスポート試験 問67
テクノロジ系コンピュータ構成要素 › メモリ
这道题的解析和你的作答记录。
解説
問 67
错误ア
「利用紫外线擦除数据」是紫外线擦除型 EPROM（UV-EPROM）的说明。它通过封装顶部的窗口照射紫外线来擦除整块芯片，与靠电信号擦写的闪存在擦除机制上并不相同。
错误イ
「读取速度快、用作弥补 CPU 与主存储器性能差距的高速缓存」是 SRAM（一种高速的易失性存储器）的说明。闪存比 SRAM 速度慢，不会用于高速缓存用途。
- ウ
正解 「ウ」正确。闪存是在 EEPROM 基础上发展而来的半导体存储器，可通过电信号以块（block）为单位一次性擦除和重写。而且断电后数据也不会丢失，具有非易失性，因此广泛用于 U 盘、SD 卡、SSD、智能手机内置存储等断电后仍需保存数据的场景。选项「是一种可电擦写的非易失性存储器」这一表述正好体现了这一特点。
错误エ
「需要刷新操作、常用作主存储器」是 DRAM 的说明。DRAM 靠电容中的电荷来保存数据，因此是需要周期性刷新的易失性存储器，与无需刷新且非易失的闪存是两回事。
ここがポイント
- 闪存 = 可用电信号一次性擦除、可重写的非易失性存储器（EEPROM 的一种），用于 U 盘、SD 卡、SSD 等。
- 半导体存储器的区分：SRAM（高速、用于高速缓存）／DRAM（需刷新、用于主存储器）是易失性，UV-EPROM 靠紫外线擦除。通过易失/非易失以及擦除方式来识别。
用語